Производитель: Samsung
Код производителя: MZ-V8P1T0BW
Внимание: В спецификациях Samsung указано '3bit MLC', т.е. 3bit multi-level cells - это и есть TLC, Triple-level cells с 3 битами информации на ячейку, а у MLC в ячейке памяти хранится 2 бита.
Назначение: внутренний
Тип: SSD
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: PCI-E 4.0 x4
Объём накопителя: 1000 Гб
Тип флэш-памяти: TLC
Контроллер: Samsung Elpis (8нм)
Объём кэш памяти: 1024 Мб, LPDDR4
Скорость чтения: 7000 МБ/сек
Скорость записи: 5000 МБ/сек
Скорость произвольного чтения 4 КБ блоков: 1000000 IOPS, с глубиной очереди QD32
Скорость произвольной записи 4 КБ блоков: 1000000 IOPS, с глубиной очереди QD32
Ресурс перезаписи (TBW): 600 ТБ
Время наработки на отказ: 1500000 ч
Вес: 0.009 кг
Гарантия: 12 мес.
Сайт производителя: www.samsung.com